Disco Duro SSD Samsung 9100 PRO 8TB Samsung V NAND TLC NAND (V8) PCIe Gen 5 x4 NVMe M.2 Internal con Heatsink
Sobre este producto
⚡ El Samsung 9100 PRO 8TB redefine la velocidad extrema con su arquitectura V-NAND TLC (V8) y tecnología PCIe Gen 5 x4, diseñada para cargas profesionales y sistemas de alto rendimiento.
🚀 Con velocidades de lectura de hasta 14,800 MB/s y escritura de 13,400 MB/s, este SSD ofrece tiempos de respuesta ultrarrápidos para edición 8K, gaming avanzado y aplicaciones empresariales.
💾 Sus impresionantes 8TB de capacidad permiten almacenar proyectos pesados, bibliotecas multimedia, renders y máquinas virtuales sin comprometer velocidad.
❄️ Incluye heatsink integrado, optimizado para mantener bajas temperaturas y evitar pérdida de rendimiento en sesiones prolongadas.
🔍 Su formato M.2 2280 M Key garantiza compatibilidad con plataformas modernas que requieren rendimiento extremo, ideal para creadores, desarrolladores y entusiastas del hardware.
🛡️ Su resistencia de 4,800 TBW asegura una larga vida útil incluso en entornos exigentes con escrituras intensivas todos los días.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-VAP8T0CW |
| Color | Negro |
| Capacidad | 8 TB |
| Interface | PCIe Gen 5 x4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Arquitectura | Samsung V-NAND TLC NAND (V8) |
| Velocidad de lectura | Hasta 14,800 MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 13,400 MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 2,200,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 2,600,000 IOPS |
| Endurance | 4,800 TBW |
| Disipador | Sí, integrado |
Sobre este producto
⚡ El Samsung 9100 PRO 8TB redefine la velocidad extrema con su arquitectura V-NAND TLC (V8) y tecnología PCIe Gen 5 x4, diseñada para cargas profesionales y sistemas de alto rendimiento.
🚀 Con velocidades de lectura de hasta 14,800 MB/s y escritura de 13,400 MB/s, este SSD ofrece tiempos de respuesta ultrarrápidos para edición 8K, gaming avanzado y aplicaciones empresariales.
💾 Sus impresionantes 8TB de capacidad permiten almacenar proyectos pesados, bibliotecas multimedia, renders y máquinas virtuales sin comprometer velocidad.
❄️ Incluye heatsink integrado, optimizado para mantener bajas temperaturas y evitar pérdida de rendimiento en sesiones prolongadas.
🔍 Su formato M.2 2280 M Key garantiza compatibilidad con plataformas modernas que requieren rendimiento extremo, ideal para creadores, desarrolladores y entusiastas del hardware.
🛡️ Su resistencia de 4,800 TBW asegura una larga vida útil incluso en entornos exigentes con escrituras intensivas todos los días.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-VAP8T0CW |
| Color | Negro |
| Capacidad | 8 TB |
| Interface | PCIe Gen 5 x4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Arquitectura | Samsung V-NAND TLC NAND (V8) |
| Velocidad de lectura | Hasta 14,800 MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 13,400 MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 2,200,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 2,600,000 IOPS |
| Endurance | 4,800 TBW |
| Disipador | Sí, integrado |
Description
Sobre este producto
⚡ El Samsung 9100 PRO 8TB redefine la velocidad extrema con su arquitectura V-NAND TLC (V8) y tecnología PCIe Gen 5 x4, diseñada para cargas profesionales y sistemas de alto rendimiento.
🚀 Con velocidades de lectura de hasta 14,800 MB/s y escritura de 13,400 MB/s, este SSD ofrece tiempos de respuesta ultrarrápidos para edición 8K, gaming avanzado y aplicaciones empresariales.
💾 Sus impresionantes 8TB de capacidad permiten almacenar proyectos pesados, bibliotecas multimedia, renders y máquinas virtuales sin comprometer velocidad.
❄️ Incluye heatsink integrado, optimizado para mantener bajas temperaturas y evitar pérdida de rendimiento en sesiones prolongadas.
🔍 Su formato M.2 2280 M Key garantiza compatibilidad con plataformas modernas que requieren rendimiento extremo, ideal para creadores, desarrolladores y entusiastas del hardware.
🛡️ Su resistencia de 4,800 TBW asegura una larga vida útil incluso en entornos exigentes con escrituras intensivas todos los días.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-VAP8T0CW |
| Color | Negro |
| Capacidad | 8 TB |
| Interface | PCIe Gen 5 x4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Arquitectura | Samsung V-NAND TLC NAND (V8) |
| Velocidad de lectura | Hasta 14,800 MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 13,400 MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 2,200,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 2,600,000 IOPS |
| Endurance | 4,800 TBW |
| Disipador | Sí, integrado |
