Disco Duro SSD Samsung 990 PRO 2TB V NAND 3-bit MLC PCIe Gen 4 x4 NVMe M.2
Sobre este producto
🚀 Velocidad extrema para gaming y productividad: El Samsung 990 PRO 2TB alcanza hasta 7,450MB/s en lectura y 6,900MB/s en escritura, ofreciendo tiempos de carga ultrarrápidos y mayor eficiencia en transferencia de datos.
💾 Tecnología Samsung V-NAND 3-bit MLC: Diseñado para máxima durabilidad y rendimiento sostenido, proporcionando una experiencia fluida en tareas exigentes como edición de video, gaming y cargas pesadas.
⚡ Rendimiento optimizado con hasta 1,550,000 IOPS: Su capacidad de procesamiento de datos asegura respuesta instantánea y ejecución eficiente de múltiples aplicaciones simultáneamente.
🔋 Eficiencia energética mejorada: Con solo 0.055W en estado inactivo, reduce el consumo sin afectar el rendimiento, ideal para portátiles y estaciones de trabajo de alto nivel.
💪 Fiabilidad garantizada con 1,200 TBW y 1,500,000 horas MTBF: Diseñado para uso intensivo y prolongado, asegurando almacenamiento confiable a largo plazo.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P2T0B/AM |
| Capacidad | 2TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| Controlador | Samsung Pascal |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,450MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,900MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,400,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,550,000 IOPS |
| Durabilidad | 1,200 TBW |
| MTBF | 1,500,000 horas |
| Consumo energético (Idle) | 0.055W |
| Consumo energético (R/W) | 8.5W |
| Resistencia a golpes | 1,500G, 0.5ms |
Sobre este producto
🚀 Velocidad extrema para gaming y productividad: El Samsung 990 PRO 2TB alcanza hasta 7,450MB/s en lectura y 6,900MB/s en escritura, ofreciendo tiempos de carga ultrarrápidos y mayor eficiencia en transferencia de datos.
💾 Tecnología Samsung V-NAND 3-bit MLC: Diseñado para máxima durabilidad y rendimiento sostenido, proporcionando una experiencia fluida en tareas exigentes como edición de video, gaming y cargas pesadas.
⚡ Rendimiento optimizado con hasta 1,550,000 IOPS: Su capacidad de procesamiento de datos asegura respuesta instantánea y ejecución eficiente de múltiples aplicaciones simultáneamente.
🔋 Eficiencia energética mejorada: Con solo 0.055W en estado inactivo, reduce el consumo sin afectar el rendimiento, ideal para portátiles y estaciones de trabajo de alto nivel.
💪 Fiabilidad garantizada con 1,200 TBW y 1,500,000 horas MTBF: Diseñado para uso intensivo y prolongado, asegurando almacenamiento confiable a largo plazo.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P2T0B/AM |
| Capacidad | 2TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| Controlador | Samsung Pascal |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,450MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,900MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,400,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,550,000 IOPS |
| Durabilidad | 1,200 TBW |
| MTBF | 1,500,000 horas |
| Consumo energético (Idle) | 0.055W |
| Consumo energético (R/W) | 8.5W |
| Resistencia a golpes | 1,500G, 0.5ms |
Description
Sobre este producto
🚀 Velocidad extrema para gaming y productividad: El Samsung 990 PRO 2TB alcanza hasta 7,450MB/s en lectura y 6,900MB/s en escritura, ofreciendo tiempos de carga ultrarrápidos y mayor eficiencia en transferencia de datos.
💾 Tecnología Samsung V-NAND 3-bit MLC: Diseñado para máxima durabilidad y rendimiento sostenido, proporcionando una experiencia fluida en tareas exigentes como edición de video, gaming y cargas pesadas.
⚡ Rendimiento optimizado con hasta 1,550,000 IOPS: Su capacidad de procesamiento de datos asegura respuesta instantánea y ejecución eficiente de múltiples aplicaciones simultáneamente.
🔋 Eficiencia energética mejorada: Con solo 0.055W en estado inactivo, reduce el consumo sin afectar el rendimiento, ideal para portátiles y estaciones de trabajo de alto nivel.
💪 Fiabilidad garantizada con 1,200 TBW y 1,500,000 horas MTBF: Diseñado para uso intensivo y prolongado, asegurando almacenamiento confiable a largo plazo.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P2T0B/AM |
| Capacidad | 2TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| Controlador | Samsung Pascal |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,450MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,900MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,400,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,550,000 IOPS |
| Durabilidad | 1,200 TBW |
| MTBF | 1,500,000 horas |
| Consumo energético (Idle) | 0.055W |
| Consumo energético (R/W) | 8.5W |
| Resistencia a golpes | 1,500G, 0.5ms |
